（CWW）3月15日，IC Insights预测，2022年NAND闪存资本支出将增长8%至299亿美元，超过2018年278亿美元的历史新高。2017年该行业向3D NAND过渡，闪存资本支出在2017年飙升至272亿美元，同比增长高达89%，此后每年都超过200亿美元。2022 年，闪存的资本支出预计将增至 299 亿美元，因为大型供应商和小型供应商又将保持适度激进的支出水平。

IC Insights表示，299亿美元资本支出占2022年IC行业整体资本支出（1904亿美元）的16%，仅落后于晶圆代工部门，该部门预计将占今年行业资本支出的41%。最近升级的NAND闪存工厂包括三星的Pyeongtaek Lines 1 和 2（也用于 DRAM 和代工）；三星在中国西安的二期投资；铠侠在日本岩手的 Fab 6 (Flash Ventures) 和 Fab K1；美光在新加坡的第三家闪存工厂。此外，SK海力士为其M15 工厂的剩余空间配备了NAND闪存。

在预测期内，随着NAND闪存供应商准备从 2022 年底到 2023 年进入 200 层以上设备的竞争，这将需要新的晶圆厂和新设备。三星和美光可能将在今年晚些时候量产200层设备。两家公司以及SK海力士目前都在量产176层NAND。三星位于中国西安的晶圆厂是（并将成为）领先NAND的关键制造地点，拥有两个晶圆厂，每个晶圆厂全面投产后每月可生产120,000片晶圆。随着对企业存储应用的日益关注，SK海力士预计将在2023年迁移到196层。